अनलैप्ड ग्लास सब्सट्रेट में कार्बनिक सब्सट्रेट की तुलना में इसे 50% से अधिक कम करने के लिए बेहद कम वॉरपेज होता है। थर्मल विस्तार (CTE) का उनका गुणांक सिलिकॉन चिप्स के साथ अत्यधिक संगत है, जो थर्मल तनाव के कारण होने वाली विरूपण को काफी दबा देता है। यह अधिक उन्नत फोटोलिथोग्राफी प्रक्रियाओं के लिए एक स्थिर मंच प्रदान करता है (लाइन चौड़ाई/स्पेसिंग के साथ नीचे 2μM से कम)।

उत्कृष्ट प्रदर्शन लाभ

अनलैप्ड ग्लास सब्सट्रेट अल्ट्रा - उच्च - आवृत्ति सिग्नल ट्रांसमिशन के दौरान कम नुकसान का प्रदर्शन करते हैं, जिससे उन्हें उच्च - आवृत्ति और उच्च - गति उपकरणों के लिए एक आदर्श विकल्प बन जाता है। उनके भौतिक गुण ऑप्टिकल इंटरकनेक्शन संरचनाओं के सहज एकीकरण को सक्षम करते हैं, जो कि CO - पैकेज्ड ऑप्टिक्स (CPO) समाधानों के लिए एक कुशल कार्यान्वयन मार्ग की पेशकश करते हैं। इसके अतिरिक्त, एक आयताकार सब्सट्रेट डिजाइन को अपनाने से प्रति बोर्ड लगाए जा सकने वाले चिप्स की संख्या बढ़ जाती है, जिससे उत्पादन की उपज में सुधार और इकाई लागत को कम करने में मदद मिलती है।

महत्वपूर्ण लागत - प्रभावशीलता

अनबैप्ड ग्लास सब्सट्रेट की विनिर्माण लागत सिलिकॉन इंटरपोजर की तुलना में काफी कम है। मल्टी - चिप पैकेजिंग में, वे चिप घनत्व को 50%से अधिक बढ़ा सकते हैं, जिससे उन्हें बड़े - स्केल उत्पादन के लिए अधिक उपयुक्त हो सकता है और बड़े - वॉल्यूम एप्लिकेशन के लिए उत्कृष्ट अर्थशास्त्र वितरित कर सकता है।

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